随着半导体行业的蓬勃发展，半导体芯片也不断向着小型化与高集成化方向迈进，系统级封装应运而生。基于系统级封装技术的5V铁电存储器芯片，以3.3V电源的铁电存储器为主体，在不改变其基本功能的情况下，将电源范围拓宽至5V使其能够兼容更多硬件系统，解决了存储器在使用过程中电源及电平不匹配的问题，简化了FeRAM外围电路设计，使得使用上更加方便快捷。具体设计从裸芯堆叠设计、封装互连设计、基板设计等方面进行了系统分析和方案选择，较为详尽的介绍了FeRAM5V_SiP的设计过程。最后，基于Sigrity与Flotherm软件对芯片的信号完整性、电源完整性以及热应力参数进行了仿真分析，验证了SiP设计的合理性与可行性，与传统的PCB板相比，FeRAM5V_SiP实现了在同样的性能下更小的尺寸以及更高的集成度，符合市场的需求，为类似SiP芯片的设计提供了可行性参考。

在无线电多径传播环境下，信号强度周期性变化易与多径效应波动叠加，导致测向和定位系统难以区分正常多径与信号源位置变化，易产生虚假信息，数据挖掘效果不佳。为此，本文提出一种基于模糊均值聚类的无线电监测数据挖掘方法。先通过小波变换对无线电信号进行分解，运用脊线算法提取瞬时频率特征。然后利用模糊均值聚类算法对瞬时频率特征进行初步聚类，并结合空间邻域信息优化聚类结果。最后计算每个聚类的异常因子，识别异常数据点，实现有用信息挖掘。实验结果表明，应用本文方法在多个实验场景下可显著提升数据挖掘速度、资源利用率和覆盖率，应用效果较好。

为了降低在网络教学中，由于学生自主学习行为的多样性和技术平台存在的差异性，导致传统评价方法难以准确给出评价反馈的问题，引入LMBP（Levenberg-Marquardt Back Propagation）算法，构建了一个能够利用权重化的评价指标对学生的学习表现进行量化分析的自动评价模型。确定网络教学在线学习的评价指标权重，筛选出关键评价指标，并合理分配权重值，降低数据的无序性。基于LMBP算法构建自动评价模型，通过模型的运算，自动计算出每个学生的在线学习评价分数，降低评价的滞后性，实现客观、准确的评价。实验结果显示，模型计算得到的各项指标权重值在0.96以上，拟合度高于0.98，评价分数高于97分，可以实现网络教学的有效评价。

针对传统的比较器速度较慢的问题，提出了一种速度可选的高速比较器。比较器采用轨到轨输入结构。高速比较器的预放大器电路由两级差分放大器构成，预放大结果送入一个Latch锁存器电路得到比较结果。Latch锁存器电路降低了比较器的延迟，提高了比较器的速度。比较器电路里面添加了比较器反向输入端模式选择电路、比较器速度模式选择电路、比较器输出极性选择电路、比较器迟滞端选择电路。比较器的反向输入端有八种选择模式，比较器的速度有四种选择模式，比较器的迟滞端有四种选择模式。比较器电路的轨到轨输入结构可以检测2mV的差模电压。由于设计的轨到轨输入高速比较器需要应用于1.2V的A/D转换器中，从而在电路中加入了3.3V转1.2V的buck型电平转换电路。实现了轨到轨输入，速度可选，迟滞端可选，buck型电平转换的多功能比较器。

重复定位精度是某些运动物体的重要性能指标，比较简单的测量方法是使用板尺或卷尺直接手动测量，这种测量方法的准确性难以保证，而且测量效率较低，多次测量的一致性不好，但成本较低。另一种测量方法是使用昂贵的坐标测量仪进行测量，这种测量方法的准确性很高，重复测量的一致性好，但是成本很高。论文针对上述两种测量方法的优缺点，首先建立物体的运动模型，然后从运动模型中抽象出方便理解和便于实现的数学模型，最后基于数学模型，通过电子技术手段，选用位移激光传感器作为测距手段，设计出重复定位精度检测系统。此系统操作简单，测量精度较高，成本较低。

逐次逼近型模数转换器（SAR ADC）的功耗主要来源于三个模块：DAC、比较器和SAR逻辑。其中，DAC电容阵列在充放电过程中消耗的能量是影响SAR ADC整体功耗的重要因素，因此，设计低功耗电容开关时序显得尤为关键。传统V_CM-based电容开关时序由于工作原理和实现方式相对简单，在SAR ADC电容切换方案的设计中被广泛采用，但这种时序当比较器前后比较结果相反时，开关切换的功耗会显著上升。针对这一问题，本文提出了一种分段式电容拆分V_CM-based电容开关时序，能够有效降低电容开关功耗，并且基于65nm LP CMOS工艺设计了一款12 bit 10MS/s的低功耗SAR ADC。

高压SOI LDMOS器件得益于其高度的集成性和低功耗等优势，现已广泛应用于包括消费类电子产品和工业控制系统在内的诸多领域。本文对高压集成驱动电路中的关键器件厚栅氧SOI PLDMOS器件与薄栅氧SOI NLDMOS器件进行了设计与优化。利用TCAD仿真软件Medici进行仿真，优化了漂移区和阱区掺杂剂量和漂移区长度，从而提高器件的击穿电压，降低比导通电阻，并获得合适的阈值电压和开态击穿电压值。经优化后厚栅氧SOI PLDMOS器件的击穿电压达到-235.7 V，比导通电阻达到19.6 mΩ·cm²，阈值电压为-36.7 V，开态击穿电压为-250 V；薄栅氧SOI NLDMOS器件的击穿电压达到276.7 V，比导通电阻达到11.5 mΩ·cm²，阈值电压为1.9 V，开态击穿电压为119 V。

随着存储器技术飞速发展，双倍速率同步动态随机存储器（DDR）工作电压越来越低，为了满足DDR供电需求，设计了一款兼备拉灌电流能力的线性稳压器（LDO），可兼容DDR1~DDR4电源系统供电以及其他电源系统需求。此芯片利用双电源电压供电的特点，降低静态功耗，电源电压输入范围为 2.5V 到3.3V，线性稳压器功率电压根据DDR1~DDR4供电要求为1.2 V 到2.5V，设计上采用双环路稳压器实现拉灌电流，输出电压由外部应用配置可调，采用低阈值NMOS 功率管推挽输出级，实现低至0.6V输出电压，增加GM放大器，支持快速瞬态响应。采用0.35um BCD工艺设计，在不同DDR 供电条件下对稳压器进行仿真，输出能够跟随输入，空载时静态电流约为440uA~700uA，并选取DDR4供电条件进行瞬态响应及稳定性仿直，当负载电流从0A到3A跳变时，输出电压波动约为50mV，结果表明该电路满足DDR1~DDR4应用。

基于CSMC 0.18μm CMOS工艺，设计了一种高精度RC振荡器，采用脉冲密度调制和Σ-Δ调制技术进行温度补偿，提高了输出频率的温度稳定性。采用锁频环架构，设计了低泄漏开关电容电阻和温度补偿电阻电路，并通过三点数字修调技术对电阻进行温度补偿。此外，积分器电路采用斩波技术抑制失调电压对输出频率精度的影响，压控振荡器则通过选用低温度系数电阻进一步提升温度稳定性。仿真结果显示，该振荡器经过修调后，在不同工艺角下的输出频率均可以稳定在32MHz，在-40~125℃温度范围内，输出频率变化率小于0.45%，在1.6~2V供电电压范围内，输出频率变化率小于0.25%，整个系统的功耗为89.7μW。与其他同类型的RC振荡器相比，该设计兼具高频输出、高精度及低功耗等优点，可用于片上时钟基准源。

目前三相MOSFET驱动系统在新能源汽车、工业机器人和智能家居设备领域有着较广泛应用，根据设备系统中的高集成度和三相直流电机驱动需求，设计了一种PWM占空比可调的三相驱动电路。电路采用商用0.25μm 高压 BCD工艺设计，通过SPEED端口电压可设置PWM占空比0%到100%可调。当环境温度到达165.1℃可触发过温保护。该芯片内置PWM调制模块、电荷泵电路、自举监控模块、过温保护模块等，确保电路在整个系统中工作的可靠性。仿真结果表明，占空比可调的三相驱动电路满足设计要求。